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MSI 展示 Intel 12代Core 处理器开盖照:钎焊导热,核心面积明显缩小

据外媒 Wccftech 消息,MSI(微星)在直播中分享了大量 Intel 12代Core 处理器的细节,首次曝光了处理器开盖照片,此外还公布了 LGA1700 插槽的散热器扣具适配情况、DDR5 内存的发热实测等。



12代 Core处理器采用了全新的 LGA1700 封装,CPU 基板由正方形变为长方形。从开盖对比图可以看出,12 代 CPU 的核心面积有 C0、H0 两个版本,大小均比 11 代明显缩小。其中,C0 核心面积为 215.25mm2,H0 核心面积为 162.75mm2。前者适用于 i9 系列处理器,拥有 8 大核 + 8 小核,后者用于入门级别的处理器,仅包含 6 颗大核。


核心面积大幅缩小的原因是,Intel 在 12代桌面处理器中转向了 10nm 制程的 Intel 7 工艺,相比此前祖传的 14nm 制程工艺明显提高了晶体管密度。CPU 核心面积的缩小,也带来了发热的集中。MSI 的测试结构表明,两款处理器核心温度最高点并不相同,一个位于偏上方,较小的核心发热点偏左。不过由于芯片和保护盖采用钎焊工艺紧贴在一起,热量可以很快导出。



MSI 同时制作了示意图,表示 CPU 散热器的热管排列方式,也会对散热效果产生影响。用户最好选择热管方向与 CPU 核心排列同向的散热器,并且尽量采用热管排列较为紧密的型号,以获得更高的导热效率。



MSI 还表示,旗下多款 MPG、MAG 系列一体水冷散热器均已经适配 LGA1700 接口的处理器,提供加长版扣具。需要注意的是,LGA1700 处理器安装后的高度也与 LGA1200 不同。不仅如此,MSI 还展示了 DDR5 内存的红外热成像图。这一代内存最重要的特点便是在 PCB 中央配备 PMIC 电源管理电路,为内存提供精准稳定的直流电,此外还支持调节电压。


热成像图中可以看到,DDR5 内存运行时,PMIC 电路的发热十分可观,电源芯片和两颗电感的温度比 DRAM 颗粒还要高一些。因此,大多数 DDR5 内存需要自带散热片。不过 MSI 演示用的内存条已经加压至 1.35V,如果用户在默认的 1.1V 电压使用,那么温度问题不需要担心。




MSI 还提示,由于内存供电直接从主板 + 5V 电源获取,因此电脑电源 5V 供电的质量将直接影响到内存的稳定性以及超频上限。MSI 实测数据还显示,尽管自家的电源 12V 供电波动剧烈,但是其 5V 输出依旧保持稳定,这确保了内存的稳定性。



MSI 在直播中还对 DDR5 内存的价格发表了看法。目前,相同容量的 DDR5 内存要比 DDR4 贵 30%-50%,随着芯片短缺的延续,其价格还可能进一步上涨。不过预计到 2023 年年中,DDR5 内存的价格有望降到目前 DDR4 的水平。



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