ASUS TUF Gaming F15/17
ZenBook 13 OLED (UX325)
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Samsung 推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存

据外媒 HPCwire 消息,Samsung 宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现,达到 7200Mb/s。Samsung 表示,新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域,保证性能释放。



HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片,能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层,减少漏电流,使得能耗降低 13%。Samsung 这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用,进一步确立了该品牌的领先地位。



除此之外,Samsung 还利用了 TSV 硅通孔技术,堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片,因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量。


Samsung 是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。这种工艺引入 DRAM 制造,Samsung 可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案,助力医学研究、金融、自动驾驶、智慧城市等应用。


【资料来源】

ZenBook 13 OLED (UX325)