Micron 美光启动新加坡 NAND 新晶圆厂建设，总投资达 240 亿美元

Micron（美光）正式宣布，已启动位于新加坡的全新 NAND 闪存晶圆厂建设工程。该设施为新加坡首座双层晶圆厂，未来十年总投资规模约 240 亿美元，预计将于 2028 年下半年投产。

新厂洁净室面积达 70 万平方英尺（约 6.5 万平方米），将与此前动工的 HBM 先进封装工厂协同运作，以应对 AI 产业快速发展所带来的存储需求增长。

新加坡目前已是美光重要的 NAND 生产基地之一，此次扩建也进一步强化其在全球存储供应链中的关键地位。