消息称 Samsung，SK Hynix，Micron 提高 176 层 3D NAND 产量

据业内人士透露，主要 NAND 芯片供应商将在 2021 年第四季度提高 176 层 3D NAND 芯片产量，这可能会在明年上半年带来供应方面的变数。据《电子时报》援引消息人士称，Micron（美光科技）率先将其 176 层 3D NAND 闪存制造工艺转向量产，SK Hynix（SK 海力士）紧随其后，在第四季度开始量产。

Samsung Electronics (三星电子) 也将在平泽第 3 工厂（P3）安装新的 3D NAND 芯片生产线，以提高 176 层 3D NAND 芯片产量，届时将拥有 4 万-5 万片的月产能。该人士认为，明年手机和消费者 SSD 将越来越多地采用 176 层 3D NAND 闪存。到 2022 年底，超过 25% 的 NAND 闪存位供应将是 176 层 3D NAND 闪存芯片，高于 2021 年第四季度的近 5%。

此外，该消息人士指出，自第四季度以来，电源管理 IC 和闪存设备控制器芯片的短缺情况一直在改善，这鼓励 NAND 闪存芯片制造商扩大产量。预计到 2022 年上半年，NAND 闪存的供应将超过需求。不过，因主要 NAND 闪存芯片制造商仍对产能扩张持谨慎态度，该行业明年的整体供应增幅将略高于 30%，略高于需求增长。Samsung 和 SK Hynix 今年的位供应量增幅都将超过整体位供应量增幅，预计在 37%-39%。

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